IRF7701TR | IR (Infineon Technologies) IRF7701TR | IRF7701TR Inventory, Best Pricing

IRF7701TR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF7701TR
LIXINC Part #	IRF7701TR
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF7701TR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF7701TR Specyfikacje

Numer części:	IRF7701TR
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	12 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	100 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5050 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.5W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-TSSOP
opakowanie / etui:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)