2SJ438,Q(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SJ438,Q(M

2SJ438,Q(M

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SJ438,Q(M
LIXINC Part #	2SJ438,Q(M
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH TO220NIS
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SJ438,Q(M Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SJ438,Q(M Specyfikacje

Numer części:	2SJ438,Q(M
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	*
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	-
technologia:	-
dren do źródła napięcia (vdss):	-
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5A (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220NIS
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack