IRFSL9N60ATRR | Vishay / Siliconix IRFSL9N60ATRR | IRFSL9N60ATRR Inventory, Best Pricing

IRFSL9N60ATRR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFSL9N60ATRR
LIXINC Part #	IRFSL9N60ATRR
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFSL9N60ATRR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFSL9N60ATRR Specyfikacje

Numer części:	IRFSL9N60ATRR
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	49 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1400 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	170W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I2PAK
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA