GSID600A120S4B1 | SemiQ GSID600A120S4B1 | GSID600A120S4B1 Inventory, Best Pricing

GSID600A120S4B1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	GSID600A120S4B1
LIXINC Part #	GSID600A120S4B1
Producent	SemiQ
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 1130A 3060W
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	GSID600A120S4B1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

GSID600A120S4B1 Specyfikacje

Numer części:	GSID600A120S4B1
Marka:	SemiQ
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	SemiQ
seria:	Amp+™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	-
konfiguracja:	Half Bridge
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	1130 A
moc - maks:	3060 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 600A
prąd - odcięcie kolektora (max):	1 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	51 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module