A1P50S65M2-F | STMicroelectronics A1P50S65M2-F | A1P50S65M2-F Inventory, Best Pricing

A1P50S65M2-F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	A1P50S65M2-F
LIXINC Part #	A1P50S65M2-F
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	A1P50S65M2-F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

A1P50S65M2-F Specyfikacje

Numer części:	A1P50S65M2-F
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	STMicroelectronics
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
konfiguracja:	Three Phase Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	50 A
moc - maks:	208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
prąd - odcięcie kolektora (max):	100 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	ACEPACK™ 1