VS-ETF150Y65N | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-ETF150Y65N
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65N
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 650V 201A 600W
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-ETF150Y65N Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-ETF150Y65N Specyfikacje

Numer części:	VS-ETF150Y65N
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	FRED Pt®
pakiet:	Box
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	NPT
konfiguracja:	Half Bridge Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	201 A
moc - maks:	600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.17V @ 15V, 150A
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	-
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module