FPF2G120BF07AS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FPF2G120BF07AS

FPF2G120BF07AS

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FPF2G120BF07AS
LIXINC Part #	FPF2G120BF07AS
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FPF2G120BF07AS Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FPF2G120BF07AS Specyfikacje

Numer części:	FPF2G120BF07AS
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Last Time Buy
typu IGBT:	Field Stop
konfiguracja:	3 Independent
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	40 A
moc - maks:	156 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.2V @ 15V, 40A
prąd - odcięcie kolektora (max):	250 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	-
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	F2