FGA20N120FTDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA20N120FTDTU

FGA20N120FTDTU

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FGA20N120FTDTU
LIXINC Part #	FGA20N120FTDTU
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FGA20N120FTDTU Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FGA20N120FTDTU Specyfikacje

Numer części:	FGA20N120FTDTU
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Last Time Buy
typu IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	40 A
prąd - impuls kolektora (icm):	60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 20A
moc - maks:	298 W
przełączanie energii:	-
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	137 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	-
stan testowy:	-
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	447 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3P