HGTP12N60A4D | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HGTP12N60A4D
LIXINC Part #	HGTP12N60A4D
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 600V 54A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HGTP12N60A4D Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HGTP12N60A4D Specyfikacje

Numer części:	HGTP12N60A4D
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Last Time Buy
typu IGBT:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	54 A
prąd - impuls kolektora (icm):	96 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 12A
moc - maks:	167 W
przełączanie energii:	55µJ (on), 50µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	78 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	17ns/96ns
stan testowy:	390V, 12A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	30 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3