TP65H050WS | Transphorm TP65H050WS | TP65H050WS Inventory, Best Pricing

TP65H050WS

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TP65H050WS
LIXINC Part #	TP65H050WS
Producent	Transphorm
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TP65H050WS Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TP65H050WS Specyfikacje

Numer części:	TP65H050WS
Marka:	Transphorm
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Transphorm
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	34A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	12V
rds na (maks.) @ id, vgs:	60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.8V @ 700µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1000 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	119W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247-3
opakowanie / etui:	TO-247-3