PHK31NQ03LT,518 | Rochester Electronics PHK31NQ03LT,518 | PHK31NQ03LT,518 Inventory, Best Pricing

PHK31NQ03LT,518

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PHK31NQ03LT,518
LIXINC Part #	PHK31NQ03LT,518
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 30.4A 8SO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PHK31NQ03LT,518 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PHK31NQ03LT,518 Specyfikacje

Numer części:	PHK31NQ03LT,518
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	30.4A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.15V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	33 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4.235 pF @ 12 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	6.9W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)