PSMN8R5-100ESQ | Rochester Electronics PSMN8R5-100ESQ | PSMN8R5-100ESQ Inventory, Best Pricing

PSMN8R5-100ESQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PSMN8R5-100ESQ
LIXINC Part #	PSMN8R5-100ESQ
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PSMN8R5-100ESQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PSMN8R5-100ESQ Specyfikacje

Numer części:	PSMN8R5-100ESQ
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	100A (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	111 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.512 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	263W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I2PAK
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA