TK065U65Z,RQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK065U65Z,RQ

TK065U65Z,RQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK065U65Z,RQ
LIXINC Part #	TK065U65Z,RQ
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK065U65Z,RQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK065U65Z,RQ Specyfikacje

Numer części:	TK065U65Z,RQ
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	DTMOSVI
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	38A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	65mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1.69mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	62 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3650 pF @ 300 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	270W (Tc)
temperatura robocza:	150°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TOLL
opakowanie / etui:	8-PowerSFN