NDD03N60Z-1G | Rochester Electronics NDD03N60Z-1G | NDD03N60Z-1G Inventory, Best Pricing

NDD03N60Z-1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NDD03N60Z-1G
LIXINC Part #	NDD03N60Z-1G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NDD03N60Z-1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 27 - Oct 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NDD03N60Z-1G Specyfikacje

Numer części:	NDD03N60Z-1G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.6A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	312 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	61W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA