IRFBE30STRLPBF | Vishay / Siliconix IRFBE30STRLPBF | IRFBE30STRLPBF Inventory, Best Pricing

IRFBE30STRLPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFBE30STRLPBF
LIXINC Part #	IRFBE30STRLPBF
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFBE30STRLPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 27 - Oct 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFBE30STRLPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFBE30STRLPBF
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	800 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.1A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	78 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1300 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	125W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D2PAK
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB