APT31M100B2 | Roving Networks / Microchip Technology APT31M100B2

APT31M100B2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	APT31M100B2
LIXINC Part #	APT31M100B2
Producent	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	APT31M100B2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

APT31M100B2 Specyfikacje

Numer części:	APT31M100B2
Marka:	Roving Networks / Microchip Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Roving Networks / Microchip Technology
seria:	POWER MOS 8™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1000 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	32A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	380mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	260 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	8500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1040W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	T-MAX™ [B2]
opakowanie / etui:	TO-247-3 Variant