SPS01N60C3 | Rochester Electronics SPS01N60C3 | SPS01N60C3 Inventory, Best Pricing

SPS01N60C3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SPS01N60C3
LIXINC Part #	SPS01N60C3
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SPS01N60C3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SPS01N60C3 Specyfikacje

Numer części:	SPS01N60C3
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	CoolMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	800mA (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	100 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	11W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO251-3
opakowanie / etui:	TO-251-3 Stub Leads, IPak