NTLJF4156NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTLJF4156NT1G
LIXINC Part #	NTLJF4156NT1G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTLJF4156NT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 12 - Sep 16 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTLJF4156NT1G Specyfikacje

Numer części:	NTLJF4156NT1G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.5A (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	427 pF @ 15 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	710mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-WDFN (2x2)
opakowanie / etui:	6-WDFN Exposed Pad