STB35N60DM2 | STMicroelectronics STB35N60DM2 | STB35N60DM2 Inventory, Best Pricing

STB35N60DM2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STB35N60DM2
LIXINC Part #	STB35N60DM2
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STB35N60DM2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STB35N60DM2 Specyfikacje

Numer części:	STB35N60DM2
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	MDmesh™ DM2
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	28A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	54 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±25V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2400 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	210W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D2PAK
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB