IXTN200N10T | Wickmann / Littelfuse IXTN200N10T | IXTN200N10T Inventory, Best Pricing

IXTN200N10T

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IXTN200N10T
LIXINC Part #	IXTN200N10T
Producent	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IXTN200N10T Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IXTN200N10T Specyfikacje

Numer części:	IXTN200N10T
Marka:	Wickmann / Littelfuse
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Wickmann / Littelfuse
seria:	TrenchMV™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	200A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	9400 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	550W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-227B
opakowanie / etui:	SOT-227-4, miniBLOC