2SJ661-DL-1E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SJ661-DL-1E
LIXINC Part #	2SJ661-DL-1E
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SJ661-DL-1E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SJ661-DL-1E Specyfikacje

Numer części:	2SJ661-DL-1E
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	38A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4360 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.65W (Ta), 65W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263-2
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB