SCTW100N65G2AG | STMicroelectronics SCTW100N65G2AG | SCTW100N65G2AG Inventory, Best Pricing

SCTW100N65G2AG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SCTW100N65G2AG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SCTW100N65G2AG Specyfikacje

Numer części:	SCTW100N65G2AG
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	18V
rds na (maks.) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vgs (maks.):	+22V, -10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3315 pF @ 520 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	420W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 200°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	HiP247™
opakowanie / etui:	TO-247-3