IRFR18N15DTRPBF | Rochester Electronics IRFR18N15DTRPBF | IRFR18N15DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFR18N15DTRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFR18N15DTRPBF
LIXINC Part #	IRFR18N15DTRPBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFR18N15DTRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFR18N15DTRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFR18N15DTRPBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	150 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	18A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	125mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	43 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	900 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	110W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D-Pak
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63