NTMFS4C59NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMFS4C59NT1G

NTMFS4C59NT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTMFS4C59NT1G
LIXINC Part #	NTMFS4C59NT1G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTMFS4C59NT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTMFS4C59NT1G Specyfikacje

Numer części:	NTMFS4C59NT1G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9A (Ta), 52A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	22.2 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1252 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	760mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN