TSM650P02CX RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM650P02CX RFG | TSM650P02CX RFG Inventory, Best Pricing

TSM650P02CX RFG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TSM650P02CX RFG
LIXINC Part #	TSM650P02CX RFG
Producent	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TSM650P02CX RFG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TSM650P02CX RFG Specyfikacje

Numer części:	TSM650P02CX RFG
Marka:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	TSC (Taiwan Semiconductor)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.1A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	5.1 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	515 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.56W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-23
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3