AIMW120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) AIMW120R045M1XKSA1 | AIMW120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

AIMW120R045M1XKSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	AIMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	AIMW120R045M1XKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	TRANS SJT N-CH 1200V 52A TO247-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	AIMW120R045M1XKSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

AIMW120R045M1XKSA1 Specyfikacje

Numer części:	AIMW120R045M1XKSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	52A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	57 nC @ 15 V
vgs (maks.):	+20V, -7V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2130 pF @ 800 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	228W (Tc)
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO247-3
opakowanie / etui:	TO-247-3