NGTB30N135IHRWG | Rochester Electronics NGTB30N135IHRWG | NGTB30N135IHRWG Inventory, Best Pricing

NGTB30N135IHRWG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NGTB30N135IHRWG
LIXINC Part #	NGTB30N135IHRWG
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NGTB30N135IHRWG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NGTB30N135IHRWG Specyfikacje

Numer części:	NGTB30N135IHRWG
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1.35 V
prąd - kolektor (ic) (max):	60 A
prąd - impuls kolektora (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.65V @ 15V, 30A
moc - maks:	394 W
przełączanie energii:	850µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	234 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	-/250ns
stan testowy:	600V, 30A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-247-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247