RGT30TM65DGC9 | ROHM Semiconductor RGT30TM65DGC9 | RGT30TM65DGC9 Inventory, Best Pricing

RGT30TM65DGC9

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RGT30TM65DGC9
LIXINC Part #	RGT30TM65DGC9
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	FIELD STOP TRENCH IGBT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RGT30TM65DGC9 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RGT30TM65DGC9 Specyfikacje

Numer części:	RGT30TM65DGC9
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	14 A
prąd - impuls kolektora (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 15A
moc - maks:	32 W
przełączanie energii:	-
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	32 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	18ns/64ns
stan testowy:	400V, 15A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	55 ns
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220NFM