APTGF50DDA120T3G | Microsemi APTGF50DDA120T3G | APTGF50DDA120T3G Inventory, Best Pricing

APTGF50DDA120T3G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	APTGF50DDA120T3G
LIXINC Part #	APTGF50DDA120T3G
Producent	Microsemi
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	APTGF50DDA120T3G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

APTGF50DDA120T3G Specyfikacje

Numer części:	APTGF50DDA120T3G
Marka:	Microsemi
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Microsemi
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	NPT
konfiguracja:	Dual Boost Chopper
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	70 A
moc - maks:	312 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.7V @ 15V, 50A
prąd - odcięcie kolektora (max):	250 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	3.45 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	SP3
pakiet urządzeń dostawcy:	SP3