VS-GB75LA60UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GB75LA60UF

VS-GB75LA60UF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-GB75LA60UF
LIXINC Part #	VS-GB75LA60UF
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-GB75LA60UF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-GB75LA60UF Specyfikacje

Numer części:	VS-GB75LA60UF
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	NPT
konfiguracja:	Single
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	109 A
moc - maks:	447 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 35A
prąd - odcięcie kolektora (max):	50 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	-
wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	SOT-227-4, miniBLOC
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-227