FF150R12MS4GBOSA1 | IR (Infineon Technologies) FF150R12MS4GBOSA1 | FF150R12MS4GBOSA1 Inventory, Best Pricing

FF150R12MS4GBOSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FF150R12MS4GBOSA1
LIXINC Part #	FF150R12MS4GBOSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 225A 1250W
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FF150R12MS4GBOSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FF150R12MS4GBOSA1 Specyfikacje

Numer części:	FF150R12MS4GBOSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	-
konfiguracja:	2 Independent
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	225 A
moc - maks:	1250 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.7V @ 15V, 150A
prąd - odcięcie kolektora (max):	5 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	11 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 125°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module