FP50R07N2E4BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FP50R07N2E4BOSA1 | FP50R07N2E4BOSA1 Inventory, Best Pricing

FP50R07N2E4BOSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FP50R07N2E4BOSA1
LIXINC Part #	FP50R07N2E4BOSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE 650V 70A
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FP50R07N2E4BOSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FP50R07N2E4BOSA1 Specyfikacje

Numer części:	FP50R07N2E4BOSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
konfiguracja:	Three Phase Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	70 A
moc - maks:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.95V @ 15V, 50A
prąd - odcięcie kolektora (max):	1 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	3.1 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module