FS75R12W2T7B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FS75R12W2T7B11BOMA1 | FS75R12W2T7B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

FS75R12W2T7B11BOMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FS75R12W2T7B11BOMA1
LIXINC Part #	FS75R12W2T7B11BOMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 75A
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FS75R12W2T7B11BOMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 08 - Jul 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FS75R12W2T7B11BOMA1 Specyfikacje

Numer części:	FS75R12W2T7B11BOMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	EasyPACK™
pakiet:	Box
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
konfiguracja:	Full Bridge
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	65 A
moc - maks:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.55V @ 15V, 75A (Typ)
prąd - odcięcie kolektora (max):	13 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	15.1 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module