VS-ETL015Y120H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120H

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-ETL015Y120H
LIXINC Part #	VS-ETL015Y120H
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-ETL015Y120H Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-ETL015Y120H Specyfikacje

Numer części:	VS-ETL015Y120H
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench
konfiguracja:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	22 A
moc - maks:	89 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.03V @ 15V, 15A
prąd - odcięcie kolektora (max):	75 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	1.07 nF @ 30 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	EMIPAK-2B
pakiet urządzeń dostawcy:	EMIPAK-2B