IPS06N03LA G | IR (Infineon Technologies) IPS06N03LA G | IPS06N03LA G Inventory, Best Pricing

IPS06N03LA G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPS06N03LA G
LIXINC Part #	IPS06N03LA G
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPS06N03LA G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPS06N03LA G Specyfikacje

Numer części:	IPS06N03LA G
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	50A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 40µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	22 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2653 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	83W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO251-3
opakowanie / etui:	TO-251-3 Stub Leads, IPak