IRFN214BTA_FP001 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001

IRFN214BTA_FP001

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFN214BTA_FP001
LIXINC Part #	IRFN214BTA_FP001
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFN214BTA_FP001 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFN214BTA_FP001 Specyfikacje

Numer części:	IRFN214BTA_FP001
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Box (TB)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	250 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	600mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	10.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	275 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92-3
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)