IRL3103D1SPBF | IR (Infineon Technologies) IRL3103D1SPBF | IRL3103D1SPBF Inventory, Best Pricing

IRL3103D1SPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRL3103D1SPBF
LIXINC Part #	IRL3103D1SPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRL3103D1SPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 02 - Jul 06 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRL3103D1SPBF Specyfikacje

Numer części:	IRL3103D1SPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	FETKY™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	64A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	14mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	43 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1900 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.1W (Ta), 89W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D2PAK
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB