PHT8N06LT,135 | NXP Semiconductors PHT8N06LT,135 | PHT8N06LT,135 Inventory, Best Pricing

PHT8N06LT,135

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PHT8N06LT,135
LIXINC Part #	PHT8N06LT,135
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PHT8N06LT,135 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 05 - Jul 09 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PHT8N06LT,135 Specyfikacje

Numer części:	PHT8N06LT,135
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	55 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.5A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	80mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11.2 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±13V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	650 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-223
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA