IRFSL23N20D102P | IR (Infineon Technologies) IRFSL23N20D102P | IRFSL23N20D102P Inventory, Best Pricing

IRFSL23N20D102P

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFSL23N20D102P
LIXINC Part #	IRFSL23N20D102P
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFSL23N20D102P Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFSL23N20D102P Specyfikacje

Numer części:	IRFSL23N20D102P
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	24A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	100mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	86 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1960 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.8W (Ta), 170W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-262
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA