MVB50P03HDLT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

MVB50P03HDLT4G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MVB50P03HDLT4G
LIXINC Part #	MVB50P03HDLT4G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MVB50P03HDLT4G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MVB50P03HDLT4G Specyfikacje

Numer części:	MVB50P03HDLT4G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	50A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	25mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	100 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±15V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4.9 nF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	125W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D2PAK-3
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB