TK560P65Y,RQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK560P65Y,RQ

TK560P65Y,RQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK560P65Y,RQ
LIXINC Part #	TK560P65Y,RQ
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK560P65Y,RQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK560P65Y,RQ Specyfikacje

Numer części:	TK560P65Y,RQ
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	DTMOSV
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 240µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	14.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	380 pF @ 300 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	60W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63