RTR025N03HZGTL | ROHM Semiconductor RTR025N03HZGTL | RTR025N03HZGTL Inventory, Best Pricing

RTR025N03HZGTL

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RTR025N03HZGTL
LIXINC Part #	RTR025N03HZGTL
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RTR025N03HZGTL Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RTR025N03HZGTL Specyfikacje

Numer części:	RTR025N03HZGTL
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.5A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	92mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4.6 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	220 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	700mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TSMT3
opakowanie / etui:	SC-96