VN10KN3-G-P013 | Roving Networks / Microchip Technology VN10KN3-G-P013

VN10KN3-G-P013

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VN10KN3-G-P013
LIXINC Part #	VN10KN3-G-P013
Producent	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VN10KN3-G-P013 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VN10KN3-G-P013 Specyfikacje

Numer części:	VN10KN3-G-P013
Marka:	Roving Networks / Microchip Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Roving Networks / Microchip Technology
seria:	-
pakiet:	Tape & Box (TB)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	310mA (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	60 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92-3
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)