RQ6C065BCTCR | ROHM Semiconductor RQ6C065BCTCR | RQ6C065BCTCR Inventory, Best Pricing

RQ6C065BCTCR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RQ6C065BCTCR
LIXINC Part #	RQ6C065BCTCR
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RQ6C065BCTCR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RQ6C065BCTCR Specyfikacje

Numer części:	RQ6C065BCTCR
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	6.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	21mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	22 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1520 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.25W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TSMT6 (SC-95)
opakowanie / etui:	SC-95-6