R6004JNXC7G | ROHM Semiconductor R6004JNXC7G | R6004JNXC7G Inventory, Best Pricing

R6004JNXC7G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	R6004JNXC7G
LIXINC Part #	R6004JNXC7G
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	R6004JNXC7G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

R6004JNXC7G Specyfikacje

Numer części:	R6004JNXC7G
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	15V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.43Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	7V @ 450µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	10.5 nC @ 15 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	260 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	35W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220FM
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack