NTMYS5D3N04CTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMYS5D3N04CTWG

NTMYS5D3N04CTWG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTMYS5D3N04CTWG
LIXINC Part #	NTMYS5D3N04CTWG
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTMYS5D3N04CTWG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTMYS5D3N04CTWG Specyfikacje

Numer części:	NTMYS5D3N04CTWG
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	19A (Ta), 71A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.3mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 40µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1000 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.6W (Ta), 50W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	4-LFPAK
opakowanie / etui:	SOT-1023, 4-LFPAK