NTTFS008P03P8Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS008P03P8Z

NTTFS008P03P8Z

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTTFS008P03P8Z
LIXINC Part #	NTTFS008P03P8Z
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTTFS008P03P8Z Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTTFS008P03P8Z Specyfikacje

Numer części:	NTTFS008P03P8Z
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	22A (Ta), 96A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	134 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±25V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5600 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.36W (Ta), 50W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (3.3x3.3)
opakowanie / etui:	8-PowerWDFN