TPH3208PD | Transphorm TPH3208PD | TPH3208PD Inventory, Best Pricing

TPH3208PD

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TPH3208PD
LIXINC Part #	TPH3208PD
Producent	Transphorm
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TPH3208PD Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TPH3208PD Specyfikacje

Numer części:	TPH3208PD
Marka:	Transphorm
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Transphorm
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	20A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 300µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	14 nC @ 8 V
vgs (maks.):	±18V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	760 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	96W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3