XPH4R10ANB,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPH4R10ANB,L1XHQ

XPH4R10ANB,L1XHQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	XPH4R10ANB,L1XHQ
LIXINC Part #	XPH4R10ANB,L1XHQ
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	XPH4R10ANB,L1XHQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

XPH4R10ANB,L1XHQ Specyfikacje

Numer części:	XPH4R10ANB,L1XHQ
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVIII-H
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	70A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4970 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	960mW (Ta), 170W (Tc)
temperatura robocza:	175°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOP Advance (5x5)
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)