STWA70N65DM6 | STMicroelectronics STWA70N65DM6 | STWA70N65DM6 Inventory, Best Pricing

STWA70N65DM6

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STWA70N65DM6
LIXINC Part #	STWA70N65DM6
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 68A TO247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STWA70N65DM6 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STWA70N65DM6 Specyfikacje

Numer części:	STWA70N65DM6
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	MDmesh™ DM6
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	68A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	40mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.75V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	125 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±25V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4900 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	450W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247 Long Leads
opakowanie / etui:	TO-247-3